Samsung apunta a comenzar a producir en masa chips de 3nm la próxima semana
Se espera que Samsung anuncie el inicio de la producción en masa de chips de 3nm la próxima semana, informa Yonhap News. Esto pondrá a la empresa un paso por delante de TSMC, que se espera que comience la producción de chips de 3nm en la segunda mitad de este año. El nodo de 3 nm de Samsung brindará un área un 35 % más pequeña, un rendimiento un 30 % mayor o un consumo de energía un 50 % menor en comparación con su proceso de 5 nm (que se usó para Snapdragon 888 y Exynos 2100). Esto se logra cambiando a un diseño Gate All Around (GAA) para transistores. Este es el siguiente paso de FinFET, ya que permite que la fundición reduzca el tamaño de los transistores sin sacrificar su capacidad de transportar corriente. El diseño GAAFET utilizado en el nodo de 3 nm es la variante MBCFET que se muestra en la imagen a continuación.
El desarrollo de los transistores de silicio.
El presidente de los Estados Unidos, Joe Biden, visitó la planta de Pyeongtaek de Samsung el mes pasado para asistir a una demostración de la tecnología de 3 nm de Samsung. El año pasado se habló de que la compañía podría invertir $10 mil millones para construir una fundición de 3nm en Texas. Esa inversión ha crecido a $ 17 mil millones, y se espera que la instalación esté operativa en 2024.
La ubicación de la fábrica de Samsung en Taylor, Texas
Sin embargo, la mayor preocupación con un nudo nuevo es el rendimiento. En octubre del año pasado, Samsung declaró que el rendimiento de su proceso de 3nm «se acerca a un nivel similar al del proceso de 4nm». Aunque la compañía nunca proporcionó cifras oficiales, los analistas creen que el nodo de 4nm de Samsung estuvo plagado de problemas de rendimiento. Se espera un nodo de 3nm de segunda generación en 2023, y la hoja de ruta de la compañía también incluye un nodo basado en MBCFET de 2nm para 2025. Fuente
